作者：刘慧敏; 吴丹; 姜梅ttl电路饱和控制肖特基势垒二极管噪声容限
摘要：本文提出了一种新型的抗饱和结构的设计,它能以最小的代价来改善TTL 门电路的性能.附加的反馈晶体管有效的控制了输出晶体管进入深饱和状态,因此在提高关断速度方面的成就与采用肖特基势垒二极管的成就相似,而且这种结构有更好的抑制噪声能力,同时能和任何双极型工艺兼容.
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