作者：高鹏; 汪东升; 王海霞相变存储器片间磨损局部性写减少算法磨损均衡算法混合内存
摘要：现代存储系统一般是由多个存储芯片通过并列数据线、共享地址线的方式构成的.因此,在多片相变存储芯片并联构成的内存系统中,如果多个芯片间的磨损存在较大差异,那么该系统的寿命将会因短板效应而受到影响.模拟实验和数据分析均确认了这一问题在实际系统中的存在.在此基础上,提出了一种混合内存设计,用于延长相变内存的寿命.该方法引入了一种动态识别机制,可以在每次写入时识别遭受最多磨损的相变存储芯片,并将该芯片未来的写入转移到另一个长寿命的存储芯片中.这一措施可以减少对相变存储芯片的总写入量,并缩小相变存储芯片间的写入量差别.实验表明:使用RMB设计的内存系统的寿命最多可达无任何寿命延长方法时的7.9倍,可达使用经典方法PRES的5.14倍.
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