作者：徐勇军; 陈治国; 骆祖莹; 李晓维漏电功耗深亚微米工艺bsim漏电模型
摘要：随着工艺的发展,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题.降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法,但为了保证系统性能,必须相应地降低电路器件的阈值电压,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长,进入深亚微米工艺后,漏电功耗已经能和动态功耗相抗衡,因此,漏电功耗快速模拟器和低功耗低漏电技术一样变得十分紧迫.诸如HSPICE的精确模拟器可以准确估计漏电功耗,但仅仅适合于小规模电路.首先证实了CMOS晶体管和基本逻辑门都存在堆栈效应,然后提出了快速模拟器的漏电模型,最后通过对ISCAS85&89基准电路的实验,说明了在精度许可(误差不超过3%)的前提下,模拟器获得了成百倍的加速,同时也解决了精确模拟器的内存爆炸问题.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
