作者：倪园慧; 陈巍文; 王磊; 邱柯妮mlc写状态转换潜在溢出寄存器分配
摘要：多级自旋转移力矩磁性存储器（MLC STT一RAM）是一种新型的非易失性存储介质。不同于采用电荷方式来存储信息的SRAM,MLC STT一RAM利用自旋偏振电流通过磁隧道结（MTJ）改变自由层的磁层方向来存储信息,能够天然地避免电磁干扰。文章利用MLC STT一RAM的抗电磁辐射特性,探索在航天抗辐照环境下将其作为存储介质用于寄存器设计。在MLC STT一RAM中,每个存储单元有4种不同的阻抗状态,不同的阻抗状态之间的转换具有不同的能耗和延迟的代价。而传统的基于SRAM的寄存器分配技术并没有考虑不同的写状态转换的影响,其在没有考虑溢出优先级的情况下启发式地选择潜在溢出变量,因此该方法不适合用在MLC STT一RAM的寄存器分配中。针对该问题,提出了一种面向写状态转换的MLC STT一RAM寄存器分配的溢出优化策略。具体来说,首先,通过每个写状态转换频率的线性组合来构成溢出代价模型。然后,根据溢出代价模型针对性地选择溢出变量,选择代价低的变量保存在寄存器中,而代价高的变量倾向于被溢出,从而便实现了面向MLC STT一RAM的寄存器分配策略的优化设计。
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