作者：任秀江; 谢向辉; 施晶晶mbsirmbistecc
摘要：随着微电子工艺的不断进步，SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大，SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素。提出了一种可扩展的存储器自修复算法（S—MBISR），在对冗余的SRAM进行修复时，可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力，在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力，进而提高芯片成品率。最后对该算法进行了RTL设计实现。后端设计评估表明，该算法能够工作在1GHz频率，面积开销仅增加1．5％。
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