通过衬板加热控制Ge2Sb2Te5热电薄膜的结构

ge2sb2te5薄膜热电薄膜加热控制内衬板微结构磁控管溅射法脉冲直流温度范围

摘要：Athorn Vora-ud等人采用脉冲直流磁控管溅射法，以最佳等离子条件（脉冲频率和脉冲反向时间）制备Ge2Sb2Te5薄膜，系统地研究250-450℃温度范围内衬板温度对沉积薄膜微结构、形貌、原子组成、载流子浓度和移动性及塞贝克系数的影响。研究结果表明，要得到立方结构薄膜，就必须对衬板进行加热。

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