磷替代的In-Te-Si热电材料

热电材料塞贝克系数多晶体浓度增高导热系数热电优值磷替代量

摘要：Tawat Suriwong等人合成了In—Si—Te和P替代的In—Si—Te多晶体试样，后者为In-Si1-xPxTe3，其中x=0，0．02，0．04，0．06及0．1。测量结果表明，随P替代量增多，所研究多晶体载流子浓度增高，导致电阻率和塞贝克系数降低，然而对导热系数影响不大，结果使多晶体热电优值（2T值）增高。

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