高功率密度降压稳压器同步输出mosfet控制器沟槽式n沟道
摘要：SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸MLP55-27L封装内组合了高性能N沟道沟槽式MOSFET和一颗控制器，具有高效率和高功率密度，并提高了长期可靠性，简化了热管理。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《今日电子》（CN：11-3227/TN）是一本有较高学术价值的月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《今日电子》杂志面向电子工程师和工程经理，涵盖集成电路、元器件、电源、仪器、通信、测试、设计及软件等方面，包括新技术发展动态，热点问题讨论、新产品、新技术及其应用等内容，侧重报道产品、技术、应用和市场趋势，积极促进电子技术的交流与发展，是业界很有影响的刊物。
部级期刊
人气 371738 评论 74
人气 308154 评论 62
人气 269825 评论 66
统计源期刊
人气 156548 评论 73
