作者：谢涌开关性能gan开关损耗开关速度压摆率氮化镓功率级半桥降压转换器电感值
摘要：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且简化基于GaN的功率级设计。氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。
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