mosfetdirectfet封装热插拔应用通态电阻传导损耗硅技术vgs
摘要：IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，可提供极低的通态电阻（在10V Vgs时典型值为0．5m（2），同时kgD2PAK的占位面积缩小60％，高度缩小85％。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗，
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《今日电子》（CN：11-3227/TN）是一本有较高学术价值的月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《今日电子》杂志面向电子工程师和工程经理，涵盖集成电路、元器件、电源、仪器、通信、测试、设计及软件等方面，包括新技术发展动态，热点问题讨论、新产品、新技术及其应用等内容，侧重报道产品、技术、应用和市场趋势，积极促进电子技术的交流与发展，是业界很有影响的刊物。
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