元件ic敏感esd保护器件串行数据接口半导体制造静电损伤动态电阻
摘要：为了成本，集成度和性能等指标，采用高速串行数据接口，并且减小半导体制造布局是非常有必要的。但这种较小的器件更容易受到较低电压和电流所造成的静电损伤。另外，用于高速数据线上的低电容ESD保护器件在电容减小的同时，动态电阻会变大，这会使它们保护系统敏感IC元件的能力变差。
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