作者：Jim; Harrisonferam技术开发256mb存储能力铁电随机存储器数据存储容量randomaccess
摘要：东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）的材料和工艺技术。这种改进的铋、铁、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM设备的数据存储容量提高到现在容量的五倍。
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《今日电子》（CN：11-3227/TN）是一本有较高学术价值的月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《今日电子》杂志面向电子工程师和工程经理，涵盖集成电路、元器件、电源、仪器、通信、测试、设计及软件等方面，包括新技术发展动态，热点问题讨论、新产品、新技术及其应用等内容，侧重报道产品、技术、应用和市场趋势，积极促进电子技术的交流与发展，是业界很有影响的刊物。
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