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基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

作者:易新敏; 王向展; 杨谟华cmos压控振荡器变容管射频变容二极管移动通信技术反向偏压品质因数

摘要:随着移动通信技术的发展,射频(RF)电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器(VCO),是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管,MOS变容管便应运而生了。

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