作者:ChristinaNiekolascmos模拟ic芯片制造工艺devices公司双极型功耗亚微米降幅模拟芯片产出
摘要:Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件一一从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85%),外壳封装尺寸也缩小了30%.这种被称为"工业CMOS(iCMOS)"的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,它们可以在电噪声环境(比如工厂自动化和过程控制)中工作,但并不需要其他CMOS工艺所要求的附加IC.
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