闪存512mb芯片存储器配置记录介质编程速度ag90nm工艺单元设计
摘要：4Gb的AG-AND型闪存R1FV04G13R和R1FV04G14R可提供10MBps编程速度，分别具有8位和16位配置，90nm工艺和改进的存储器单元设计使芯片面积大约缩小了三分之二，可以在单个芯片上配置512MB的记录介质。
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