光刻机超分辨装备芯片可加工自主知识产权曝光技术制造工具
摘要：国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,在365nm光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达22nm;结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10nm级别的芯片。该项目在原理上突破了分辨力衍射极限,建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线,绕过了国外相关知识产权壁垒,具有完全自主知识产权,为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。
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