hemt器件增强型氮化镓国际高电子迁移率晶体管刻蚀工艺研究人员电子研究所
摘要：中国科学院微电子研究所等单位的研究人员在增强型氮化镓（GaN）MIS-HEMT（金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管）器件研制方面取得新进展，成功研制出了具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。研究人员通过耐高温刻蚀掩模技术，创新性地采用高温栅槽刻蚀工艺显著降低了对沟道二维电子气的损伤，提高了刻蚀残留物的挥发性。
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《军民两用技术与产品》（CN：11-4538/V）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《军民两用技术与产品》是面向国防科工委十大军工集团公司及所属研究院所、企业，全国各地高新技术企事业单位、高等院校图书馆、情报所，解放军总装备部、空军、海军、二炮等部队机关院所和个体经营者发行的刊物。
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