原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究

作者：宋淑芳; 田震p型hgcdteas掺杂

摘要：非本征P型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。

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