作者：高达; 王经纬; 王丛; 许秀娟hgcdte中短波双色阻挡层
摘要：报道了Si基中短波双色碲镉汞（MCT）的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术（PL）,得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。
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