作者：朱振; 肖成峰; 夏伟; 张新; 苏建; 李沛旭...激光器二极管激光器640nm窗口结构热饱和张应变
摘要：设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰,位于627nm及616nm处,分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散,量子阱原子发生混杂,波长蓝移了43nm。不带非吸收窗口的器件在1.9A发生腔面灾变性光学损伤（COD）,功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD,功率输出受限于热饱和,最大功率为2.3 W。室温连续电流测试,1A下波长为639nm,1.5A下波长为640nm。器件水平发散角为6°,垂直发散角为41°。
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