作者：陈湛旭; 万巍; 陈耿炎; 何影记; 陈泳竹光学设计发光二极管纳米图形化纳米球刻蚀光致发光
摘要：实验中在p-GaN层制备单层密排的聚苯乙烯（Ps）纳米球作为掩模，通过改变纳米球掩膜的直径，制作了周期性的占空比不同的GaN纳米圆台阵列结构。实验结果表明，在归一化激发光功率后，p-GaN层制备纳米圆台阵列的LED出光效率最高增加到参考样品的3．8倍。三维时域有限差分方法计算表明，周期性纳米结构破坏了p-GaN表面的全反射，增大了LED结构的光输出临界角，从而提高LED的光致发光效率。此外，利用可变的纳米球掩模刻蚀技术，可以在同一个周期下优化纳米圆台的尺寸从而进一步提高LED的出光效率，这可以用等效折射率与薄膜透射率理论来解释，计算结果与实验结果比较一致。
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