作者：尚媛园 张伟功 宋宇 刘卉cmos成像器件读出噪声增益量子效率满阱电荷
摘要：针对CMOS成像器件结构的特殊性,发展并提出了＂像元光子转移技术＂法测量增益和读出噪声。同时对CMOS器件的线性度、满阱电荷、暗流、不均匀性和量子效率等性能的测试方法进行了研究。最后基于2k×2kCMOS芯片进行了性能测试实验,实验结果也验证了该测试方法的可行性和可靠性。
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