作者：吴明和; 阮成礼; 杨宏春; 刘鸿; 王玉明; ...gaas半导体激光吸收响应杂质吸收光生载流子光激发俘获效应
摘要：入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好.
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