作者：熊翠秀 蒋练军光电子学缺陷模频移传输矩阵法材料色散
摘要：为了分析材料色散对缺陷模的影响，对色散材料采用洛伦兹振子模型，利用传输矩阵法计算了含缺陷1维光子晶体的透射谱，分析了各层的色散对该结构1维光子晶体缺陷模的影响。结果表明，无论是高、低折射率介质还是缺陷层的色散都可以引起缺陷模的频移或分裂；缺陷模的频移方向与考虑色散后光学厚度的变化有关，如果光学厚度增大，则发生红移，反之则发生蓝移；低折射率介质的色散使缺陷模频移的效果最显著。这一结果对光子晶体的设计和研究有一定的参考价值。
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