作者：杨军; 汪军双结自旋注入效率电学探测
摘要：为了探测从铁磁FM(ferromagnet)到半导体SM(semiconductor)的自旋注入效率,可以通过增加另一个铁磁体来形成一个铁磁/半导体/铁磁(FM/SM/FM)的双结,通过直接测量此双结的磁阻效应,从而得到从铁磁(FM)到半导体(SM)节的自旋注入效率.理论分析发现其隧道磁阻TMR(tunnelling magnetore resistance)和自旋注入效率SIE(spin injection efficiency)之间有个普适关系:隧道磁阻是自旋注入效率的平方.这种平方关系在顺序隧穿区和散射区都成立,除非双结间半导体层厚度很长导致自旋翻转效应的发生或中间的半导体层厚度小于其相位相干长度而导致磁阻中出现量子相干效应.
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