作者：史超金刚石超宽禁带晶体生长掺杂功率电子器件
摘要：金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点。现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件在日本、欧洲、美国的发展现状,重点阐述了单晶材料生长、掺杂工艺、衬底和外延技术等进展,以及金刚石功率电子器件的最新成果,包括金刚石PIN二极管、金刚石场效应晶体管等。分析了金刚石半导体器件产品化需要突破的关键技术,对国际上金刚石半导体材料和器件的发展进行了展望。
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