锗量子点硅基led嵌入cmos工艺发光元件发光现象制造工艺
摘要：东京都市大学宣布其制作出了采用锗（Ge）量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在CMOS工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激光振荡，距离硅光子的实现更近了一步。
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