第三代碳化硅肖特基二极管电源转换高功率密度额定电流负载条件
摘要：2009年2月18日．英飞凌科技股份有限公司在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。据称，该二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率．从而帮助降低电源转换系统成本。第三代SiC肖特基二极管不仅包括TO-220封装产品．还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。
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