feram富士通研究所存储材料铁电随机存储器东京工业大学90nm工艺
摘要:富士通研究所与东京工业大学联合开发出了面向新一代FeRAM(铁电随机存储器)的存储材料。该材料置换了部分BiFeO3(BFO)成分,与180nm工艺产品采用的物质属同一构造,也可用于90nm工艺以后的FeRAM,因此可实际应用于大容量FeRAM。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《家电科技》(CN:11-4824/TM)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《家电科技》秉承架构国内外业界技术互动平台,传递上下游产业科技信息,促进家电及相关行业技术创新和科技进步的理念,密切关注家电行业的技术、标准、产品、统计等业内热点。
部级期刊
人气 1071233 评论 53
省级期刊
人气 844577 评论 70
人气 804576 评论 68
人气 751776 评论 72