绝缘栅双极型晶体管场效应晶体管电力晶体管主体部分结构发射极集电极控制极
摘要:答:1.结构特点:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。其主体部分与GTR相同,也有集电极(C)和发射极(E),而控制极的结构却与MOSFET相同,是绝缘栅结构,也称为栅极(G),如图2(a)所示。
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