作者：许文才; 李奇; 王富安; 邹赫麟plzt薄膜la摻杂相对介电常数铁电性能
摘要：采用溶胶凝胶法在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基底上制备掺镧锆钛酸铅薄膜（Pb1-xLaxZr0.52Ti0.4O3薄膜,简称PLZT）,掺杂La浓度分别为x=0%,1%,2%,3%,4%和5%.研究了La掺杂对错钛酸铅（简称PZT）薄膜的晶向、微结构、介电和铁电性能的影响：X射线衍射（XRD）分析显示掺杂La使得薄膜的晶向取向趋于杂乱.扫描电子显微镜（SEM）分析显示当掺杂浓度小于等于3%时,薄膜的表面可以看到明显的晶界;随着掺杂浓度的增加,薄膜表面的晶界变得模糊.掺杂La3%的PLZT薄膜的相对介电常数最大,100Hz下达到1430.02,相比不掺杂PZT薄膜的相对介电常数提高了32.4%.掺杂La 1%的PLZT薄膜的铁电性能最优,相比不掺杂的PZT薄膜,＋P,从17.3μC/cm^2增加到17.72μC/cm^2,-P,从14.43μC/cm^2增加到16.98μC/cm^2.
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