作者：顾瑾栩; 张倩; 卢晓威第三代半导体宽禁带半导体材料碳化硅氮化镓功率器件
摘要：第三代半导体是以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料,它们拥有高频高效、耐高压、耐高温等特性,是支撑轨道交通、新能源汽车、5G等产业的核心材料和电子元器件。北京市作为我国第三代半导体发展的重镇,具备丰富的科技资源和产业基础,聚集了诸如世纪金光、天科合达、泰科天润等知名生产制造企业。研究并实施北京第三代半导体产业的发展大计,不仅是助推北京市经济结构的优化,更是完善中国第三代半导体产业布局、助推产业成长的重要举措。
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