亚微米CMOS芯片与制程剖面结构

作者：潘桂忠集成电路制造submironcmos芯片制程平面剖面结构

摘要：分析Submiron CMOS技术,使用双阱工艺,能够实现在高阻P型硅衬底上形成IC中各种元器件,并使之互连,实现所设计电路。采用芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片与制程结构。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社