具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计

作者：陈铭集成电路设计梯度掺杂分裂栅mosfet

摘要：探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程。对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析。结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社