半导体功率器件等离子体刻蚀离子刻蚀半导体设备导通电阻开关速度光刻胶去胶开关损耗等离子体蚀刻
摘要：华虹半导体有限公司宣布,功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中,得益于市场对超级结MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的强劲需求,华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET（SJNFET）以及场截止型IGBT累计出货量分别超过了200 000片和30 000片晶圆,并保持快速增长趋势。
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