扩大利用ic器件半导体材料高功率器件破口用途汽车加工性能
摘要:功率器件领域已经进入到Si(硅)、Si C(碳化硅)、Ga N(氮化镓)三种半导体材料并用的时代。过去,人们一直利用硅的加工性能良好的特点,借助精雕细琢的元件结构,提高功率器件的性能并扩大其应用。现在,利用宽能隙材料,也就是化合物半导体制造的器件也投入实用,在提高能效、电源系统小型化、提高耐压等方面,其性能已经达到了硅器件无法企及的高度。
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《集成电路应用》(CN:31-1325/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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