HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

SiC器件以汽车用途为突破口扩大利用

扩大利用ic器件半导体材料高功率器件破口用途汽车加工性能

摘要:功率器件领域已经进入到Si(硅)、Si C(碳化硅)、Ga N(氮化镓)三种半导体材料并用的时代。过去,人们一直利用硅的加工性能良好的特点,借助精雕细琢的元件结构,提高功率器件的性能并扩大其应用。现在,利用宽能隙材料,也就是化合物半导体制造的器件也投入实用,在提高能效、电源系统小型化、提高耐压等方面,其性能已经达到了硅器件无法企及的高度。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

集成电路应用

《集成电路应用》(CN:31-1325/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

杂志详情