作者:丁卫华超大规模集成电路mocvd技术氮化钛应用沉积逻辑集成电路填充技术芯片制造
摘要:氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及,钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出,但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上,MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。
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