作者：James; A.; Burns; Philip; Garrousoi衬底成像仪cmos雪崩光电二极管耗尽型高密度氧化物
摘要：完全耗尽型SOI、红外对准．硅片间的低温氧化物键合以及高密度的3-D通孔等技术被成功地结合起来，用于3-D可视成像仪和雪崩光电二极管成像仪的制造。
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《集成电路应用》（CN：31-1325/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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