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一种130nm工艺芯片的后端版图设计

作者:刘成玉; 姚芳布局规划电源网络规划时钟树设计物理设计

摘要:芯片后端设计采用Synopsys公司Astro工具进行自动布局布线,芯片物理验证使用Mentor Graphics公司Calibre进行版图的DRC/LVS等检查,最后使用Star-RCXT进行寄生参数提取并将抽取的网表用于门级与晶体管级的混合后仿真验证。采用SMIC0.13岬1P8MCMOS工艺,在2.5mm×2.8mm芯片尺寸内完成了一款专用的、工作频率为100MHz的芯片的后端设计,流片后经过测试应用验证,芯片的功能及性能完全满足用户要求。

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集成电路通讯

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