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基于SOI硅片高g值加速度计的设计与分析

作者:汪祖民; 许高斌; 展明浩; 郭群英; 方澍加速度计soi扇形结构u型压敏电阻

摘要:基于SOI硅片,设计了一种新型平面内振动高g值压阻式加速度计。该加速度计包括X轴向与Y轴向单元,采用三梁一扇形质量决平板内振动结构,与传统的平面外振动结构相比较,该结构具有较高的谐振频率与灵敏度。采用两两相对的单元布局方式,可有效的消除横向灵敏度的影响,提高结构的测量精度。建立理论模型并利用ANSYS软件对结构进行模拟分析与验证。分析表明,加速度计在X轴向、Y轴向灵敏度分别为1.2μv/g、1.18μv/g;谐振频率分别为479KHz、475KHz。可实现对量程高达25万g加速度的测量。

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集成电路通讯

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