HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

ICP硅深槽刻蚀技术研究

作者:黄斌; 郭群英icpboseh技术速率均匀性soifooting效应

摘要:介绍电感耦合等离子刻蚀(ICP)技术的基本概念,并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程,对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究,总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

集成电路通讯

《集成电路通讯》是一本有较高学术价值的大型季刊,自创刊以来,理论联系实际,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

杂志详情