新日铁公司缺陷密度sicsemiconductor晶圆计算机模拟技术world物质转移
摘要：据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道，日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上，开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺，使100mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度，其微管分布仅为0．03个／cm^2，是业界最好水平。目前，
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