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厚膜HIC电容粘接工艺研究

作者:夏俊生; 李波厚膜hic粘接工艺电容温度循环筛选试验温度冲击低温速率

摘要:·用户筛选试验2: ①温度冲击:-40℃~+70℃;30分钟低温、30分钟高温,10次循环。 ②温度循环:一30℃~+60℃。保持30分钟低温,按照每分钟5℃速率升到+60℃,保持30分钟,按照每分钟5℃速率降到-30℃保持30分钟,共3次循环。

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集成电路通讯

《集成电路通讯》是一本有较高学术价值的大型季刊,自创刊以来,理论联系实际,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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