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量子自旋霍尔效应——半导体的新状态

半导体性能霍尔效应量子自旋状态美国斯坦福大学能量损耗发热量外磁场

摘要:据(SST—AP—NMD)2007年第5期报道,美国斯坦福大学的研究小组宣布发现了一种物质的新状态,具有“特别的”半导体性能,包括更低的能量损耗和更少的发热量。研究小组表示不施加外磁场也可以获得被称为“量子自旋霍尔效应”的新状态。

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集成电路通讯

《集成电路通讯》是一本有较高学术价值的大型季刊,自创刊以来,理论联系实际,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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