作者：郭智臣gd5si2ge2合金四川大学磁熵变质量分数1997年国家实验室研究人员工程学院材料科学居里温度磁场变化ames钆低纯度磁致冷rev制备
摘要：最近，四川大学材料科学与工程学院的研究人员采用质量分数99％的低纯度普通商业Gd为原料，制备出具有巨磁熵变的Gd5Si2Ge2磁致冷合金，该材料居里温度268K，5T磁场变化下的最大磁熵变为17．6J／kg．K，达到了美国Ames国家实验室1997年在Phys．Rev．Lett上报道的水平，文中报道用质量分数99．99％的高纯Gd制备Gd5Si2Ge2合金的磁熵变为18．5J／kg·K。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《化学推进剂与高分子材料》是一本有较高学术价值的大型双月刊，主要刊登：(1)化学推进剂及其原材料；(2)橡胶、纤维、塑料、合成胶黏剂、高分子涂料和高分子复合材料，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。
杂志详情