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冷氢化生产多晶硅的危险性分析

作者:苏美玉冷氢化技术多晶硅生产危险介质危险因素

摘要:文章介绍了冷氢化技术的概念、产生、以及在多晶硅生产中的应用,从高压低温冷氢化技术与氯氢化技术两个方面,重点阐述了冷氢化技术原理。列举了几种主要的危险介质,包括氢气、氧气、氯化氢、三氯氢硅、四氯氢硅、硅粉等,并描述了其特性。最后,从氢气制备与净化、三氯氢硅还原、四氯化硅氢化几个方面,对工艺过程的危险因素进行了分析。

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化学工程与装备

《化学工程与装备》(CN:35-1285/TQ)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《化学工程与装备》读者分布范围主要在化学、化工、分析测试、医药、石油、油气、环保、食品、煤炭、装备制造、自动化仪表、相关教育教学和管理等领域。

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