作者：郭珉; 朱秀荣; 李贺军cds薄膜可见和近红外光谱光谱透过率短路电流密度损失
摘要：CdS窗口层光谱透射率的提高对cdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明：在光谱区520-820nm，化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率，对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失；在光谱区820—1150和520-l150nm，磁控溅射法制备的CdS薄膜在退火前后均具有最高的光谱平均透过率，对应的HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有最小的短路电流密度损失。在光谱区520—820、820—1150和520-1150nm，CdCl2退火可以显著增大cds薄膜的光谱平均透过率，降低对应CdTe顶电池、HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层电池的短路电流密度损失。
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