作者：肖军; 李秀萍; 齐紫航; 朱华; 冯魏巍sigebicmos工艺背腔贴片天线在片天线
摘要：提出了一款基于0.13μmSiGeBiCMOS工艺设计、加工的340GHz在片背腔贴片天线.辐射贴片位于AM 金属层带状线馈线置于 LY 金属层并通过连接 AM 金属层和 LY 金属层的金属化通孔对辐射贴片馈电.通过设计连接 AM 金属层和 M1 金属层的金属化通孔形成谐振腔体展宽了天线阻抗带宽、提升了天线辐射性能.天线的仿真阻抗带宽(S11≤-10dB)为9.2GHz(335.6~344.8GHz).天线在340GHz处的仿真增益为3.2dBi.天线的整体尺寸为0.5×0.56mm2.
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