作者：钟英辉; 李凯凯; 李梦珂; 王文斌; 孙树祥...inp基高电子迁移率晶体管小信号模型栅泄漏电流漏端延时
摘要：针对InAlAs/InGaAs InP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R gs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(g ds)和漏延迟(τds)描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C ds)引起的相位变化,从而提高了S 22参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,Rgs和τds的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.
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