作者：王志明; 黄辉; 胡志富; 赵卓彬; 崔玉兴; ...磷化铟赝配高电子迁移率晶体管在片测试单片集成电路
摘要：研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 mA/mm和1 640 mS/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率/t和最大振荡频率/_分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的/_更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm.
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